点击图片查看原图
设计
两种 CPU 都具有：
-
高性能的处理器：
CPU 执行每条二进制指令时间仅为 0.03 µs 。 -
CPU 416F-2：8 MB 主存储器（程序或数据各占用 4 MB）；
CPU 416F-3 PN/DP：11.2 MB 主存储器（程序或数据各 5.6 MB）；
快速主存储器用于对于执行十分重要的用户程序部分。 -
灵活扩展能力：
*多 262144 点数字量和 16384 点模拟量输入/输出。 -
MPI 多点接口：
通过 MPI，可在高达 12 Mbps 的数据传输速率下，建立包含*多 32 个站的简单网络。CPU 可与通信总线（C 总线）和 MPI 的站建立*多 44 个连接。 -
模式选择开关：
拨位按钮设计 -
诊断缓存：
*后的 120 个错误和中断事件出于诊断目的而保存在一个环形缓存中。可以对输入数目进行设定。 -
实时时钟：
CPU 的诊断报警带有日期和时间标记。
《销售宗旨》：为客户创造价值是我们永远追求的目标！
《服务说明》：现货配送至全国各地含税（17%）含运费！
《产品质量》：原装正品，全新原装！
《产品优势》：专业销售 薄利多销 信誉好，口碑好，价格低，货期短，大量现货,服务周到！
西门子（中国）有限公司
-----------------------------------------------------------
上海诗幕公司在经营活动中精益求精，具备如下业务优势：
SIEMENS 可编程控制器
1、 SIMATIC S7 系列PLC：S7-200、S7-1200、S7-300、S7-400、ET-200
2、 逻辑控制模块 LOGO！230RC、230RCO、230RCL、24RC、24RCL等
3、 SITOP直流电源 24V DC 1.3A、2.5A、3A、5A、10A、20A、40A可并联.
4、HMI 触摸屏TD200 TD400C K-TP OP177 TP177,MP277 MP377,
SIEMENS 交、直流传动装置
1、 交流变频器 MICROMASTER系列：MM420、MM430、MM440、G110、G120. MIDASTER系列：MDV
2、全数字直流调速装置 6RA23、6RA24、6RA28、6RA70、6SE70系列
SIEMENS 数控 伺服
8:801、802S 、802D、802D SL、810D、840D、611U、S120
系统及伺报电机，力矩电机，直线电机， 等备件销售。
---------------------------------------------------------------
上海诗幕自动化设备有限公司（西门子系统集成商）专业销售西门子S7-200/300/400/1200PLC、
数控系统、变频器、人机界面、触摸屏、伺服、电机、西门子电缆等，
并可提供西门子维修服务，欢迎来电垂询 : 18721160962微信同号
-----------------------------------------------------------------
上海诗幕自动化设备有限公司 具备以下产品优势
西门子可编程控制器，西门子触摸屏，西门子工业以太网，
西门子数控系统，西门子高低压变频器，西门子电机驱动等等。
技术规范
|
商品编号 |
6ES7416-2FP07-0AB0 |
6ES7416-3FS07-0AB0 |
|
|---|---|---|---|
|
CPU 416F-2, MPI, PROFIBUS, 8 MB |
CPU416F-3 PN/DP，16 MB，3 个接口 |
||
|
一般信息 |
|
|
|
|
产品名称 |
CPU 416F-2 |
CPU 416F-3 PN/DP |
|
|
硬件功能状态 |
01 |
01 |
|
|
固件版本 |
V7.0 |
V7.0 |
|
|
工程组态方式 |
|
|
|
|
STEP 7 V5.4 或以上版本，带 HSP 261 |
STEP 7 V5.5 或以上版本，带 HSP 262 |
|
|
CiR - 在 RUN 模式下组态 |
|
|
|
|
CiR 同步时间，基本负载 |
100 ms |
100 ms |
|
|
CiR 同步时间,每个 I/O字节从站的时间 |
10 µs |
10 µs |
|
|
电源电压 |
|
|
|
|
额定值 (DC) |
|||
|
-；通过系统电源供电 |
-；通过系统电源供电 |
|
|
输入电流 |
|
|
|
|
从背板总线 5 VDC，典型值 |
0.9 A |
1.3 A |
|
|
从背板总线 5 VDC，*大值 |
1.1 A |
1.6 A |
|
|
从背板总线 24 VDC，*大值 |
300 mA；在每个 DP 接口处150mA |
300 mA；在每个 DP 接口处150mA |
|
|
从接口 5 V DC，*大 |
90 mA；在每个 DP 接口处 |
90 mA；在每个 DP 接口处 |
|
|
功耗 |
|
|
|
|
功耗，典型值 |
4.5 W |
6.5 W |
|
|
功耗，*大值 |
5.5 W |
8 W |
|
|
存储器 |
|
|
|
|
存储器类型 |
RAM |
RAM |
|
|
工作存储器 |
|
|
|
|
8 MB |
16 MB |
|
|
4 MB |
8 MB |
|
|
4 MB |
8 MB |
|
|
- |
- |
|
|
装载存储器 |
|
|
|
|
√；带存储卡(FLASH) |
√；带存储卡(FLASH) |
|
|
64 MB |
64 MB |
|
|
1 MB |
1 MB |
|
|
√；带存储器卡 (RAM) |
√；带存储器卡 (RAM) |
|
|
64 MB |
64 MB |
|
|
后备 |
|
|
|
|
√ |
√ |
|
|
√；所有数据 |
√；所有数据 |
|
|
- |
- |
|
|
电池 |
|
|
|
|
后备电池 |
|
|
|
|
180 µA；(*高 40 °C ) |
180 µA；(*高 40 °C ) |
|
|
850 µA |
850 µA |
|
|
模块数据手册中提供了辅助条件和影响因素 |
模块数据手册中提供了辅助条件和影响因素 |
|
|
5 V DC 到 15 V DC |
5 V DC 到 15 V DC |
|
